Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

24 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.3 В