Оперативная память

16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-84, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В